Безразмерная, индикаторная оценка напряженности поля, создаваемого излучателем, дает возможность настроить и согласовать ВЧ тракт передающего устройства, выбрать лучшую линию передачи, выяснить способность антенны концентрировать излучение в нужном направлении и многое другое.
Принципиальная схема индикатора напряженности поля с диапазонной селекцией сигналов показана на рисунке
Катушки индуктивности индикатора наматывают проводом ПЭВ-2 диаметром 0,2 мм на каркасах диаметром 5 мм, имеющих отверстия с резьбой под подстроенные сердечники из карбонильного железа или высокочастотного феррита (n=100). Их данные для различных частотных диапазонов приведены в таблице.
Транзистор VT1 - практически любой не слишком низкочастотный n-р-n-транзистор. Если это будет кремниевый транзистор, например КТ325, КТ3102, КТ315 (буквы любые) и др., то сопротивление резистора R2 следует уменьшить до 150 кОм. Чувствительность индикатора увеличивается с увеличением h21э транзистора.
Диод VD1 - обязательно германиевый - Д9Б, Д20 и др.
Дроссель L11 - типа Д-0,1 и др. индуктивностью 100...200 мкГн.
Антенна - штырь длиной 1 м.
Настройку индикатора на середину каждого частотного диапазона (их может быть и меньше) производят в режиме максимальной его чувствительности (движок R1 - в крайнем правом положении, R6 - в верхнем).
